BCP53-10,115

Symbol Micros: TBCP5310
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor PNP; 160; 1,35W; 80V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 160; 1,35W; 80V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 1,35W
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 160
Grenzfrequenz: 145MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCP53-10,115 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5361 0,3240 0,2494 0,2251 0,2142
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCP53-10 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
84 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5361 0,3240 0,2494 0,2251 0,2142
Standard-Verpackung:
300
Verlustleistung: 1,35W
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 160
Grenzfrequenz: 145MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP