BCP53T1G

Symbol Micros: TBCP53t1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223t/r
Transistor PNP; 250; 1,35W; 80V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 250; 1,35W; 80V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 1,35W
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT223t/r
Grenzfrequenz: 145MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCP53 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6391 0,4057 0,3207 0,2924 0,2783
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1,35W
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT223t/r
Grenzfrequenz: 145MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP