BCP55-16TA

Symbol Micros: TBCP5516 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor NPN; 250; 2W; 60V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 2W; 60V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 2W
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN