BCP55-16

Symbol Micros: TBCP5516 Diotec
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Transistor GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Verlustleistung: 1,3W
Hersteller: DIOTEC
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-06-05
Anzahl Stück: 4000
Verlustleistung: 1,3W
Hersteller: DIOTEC
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN