BCP55-16 JGSEMI
Symbol Micros:
TBCP5516 JGS
Gehäuse: SOT223
NPN-Transistor; 250; 1,33W; 60V; 1A; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BCP55-16,115; BCP5516H6327XTSA1; BCP5516TA;
Parameter
| Verlustleistung: | 1,33W |
| Hersteller: | JGSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Grenzfrequenz: | 130MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
| Verlustleistung: | 1,33W |
| Hersteller: | JGSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Grenzfrequenz: | 130MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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