BCR108
Symbol Micros:
TBCR108
Gehäuse: SOT23
NPN 100mA 50V 200mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k NPN 100mA 50V 200mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Grenzfrequenz: | 170MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR108E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
670 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1949 | 0,0987 | 0,0598 | 0,0474 | 0,0433 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR108E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
17500 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1561 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-12-31
Anzahl Stück: 3000
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Grenzfrequenz: | 170MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole