BCR108

Symbol Micros: TBCR108
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 100mA 50V 200mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k NPN 100mA 50V 200mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
870 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1986 0,1006 0,0609 0,0483 0,0441
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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