BCR108

Symbol Micros: TBCR108

Gehäuse: SOT23

NPN 100mA 50V 200mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k NPN 100mA 50V 200mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	70
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

1770 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2005	0,1015	0,0615	0,0488	0,0445

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

101000 stk.

Anzahl Stück	500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0781

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	70
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN