BCR108

Symbol Micros: TBCR108
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 100mA 50V 200mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k NPN 100mA 50V 200mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2002 0,1014 0,0614 0,0487 0,0445
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2002 0,1014 0,0614 0,0487 0,0445
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108E6433HTMA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
70000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0445
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
81000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0445
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0445
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN