BCR108S

Symbol Micros: TBCR108s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2NPN 0.1A 50V 0.25W 2NPN 0.1A 50V 0.25W
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108S RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2107 0,1162 0,0770 0,0642 0,0602
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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