BCR108S
Symbol Micros:
TBCR108s
Gehäuse: SOT363
2NPN 0.1A 50V 0.25W 2NPN 0.1A 50V 0.25W
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 170MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR108S RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2138 | 0,1179 | 0,0781 | 0,0651 | 0,0611 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR108SH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
93000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0611 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR108SH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
22000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0703 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 170MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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