BCR108W

Symbol Micros: TBCR108w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 100mA 50V 250mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k NPN 100mA 50V 250mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR108W E6327 RoHS Gehäuse: SOT323 Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0707 0,0273 0,0133 0,0106 0,0101
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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