BCR10PN Infineon Tech

Symbol Micros: TBCR10pn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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NPN/PNP 100mA 50V 130MHz 250mW NPN/PNP 100mA 50V 130MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR10PNH6327 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1549 0,0735 0,0414 0,0314 0,0281
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

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