BCR112

Name: TBCR112 TBCR112
Brand: Infineon
SKU: TBCR112
Price: 0.1125 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBCR112

Gehäuse: SOT23

NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT23
Stromverstärkungsfaktor:	20
Grenzfrequenz:	140MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR112E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

21700 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2451	0,1303	0,1010	0,0932	0,0893

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR112E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

132500 stk.

Anzahl Stück	500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1125

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT23
Stromverstärkungsfaktor:	20
Grenzfrequenz:	140MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN