BCR112

Name: TBCR112 TBCR112
Brand: Infineon
SKU: TBCR112
Price: 0.0328 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBCR112

Gehäuse: SOT23

NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	20
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	140MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR112E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

16440 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1806	0,0857	0,0482	0,0366	0,0328

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR112E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

58000 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0328

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	20
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	140MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN