BCR112

Name: TBCR112 TBCR112
Brand: Infineon
SKU: TBCR112
Price: 0.0325 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBCR112

Gehäuse: SOT23

NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	20
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	140MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR112E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1789	0,0849	0,0477	0,0362	0,0325

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR112E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

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Anzahl Stück	500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0523

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Geplantes Datum:
2026-09-30

Anzahl Stück: 15000

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	20
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	140MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN