BCR112WH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR112w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 50V 100mA 140MHz 250mW NPN 50V 100mA 140MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 140MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR 112W H6327 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2350 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1055 0,0417 0,0244 0,0178 0,0162
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 140MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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