BCR119E6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR119
Gehäuse: SOT23-3
NPN 50V 100mA 150MHz 200mW NPN 50V 100mA 150MHz 200mW
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR 119 E6327 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0833 | 0,0328 | 0,0192 | 0,0140 | 0,0128 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR119E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
15000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0371 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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