BCR133

Symbol Micros: TBCR133
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR133E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
275 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2052 0,0975 0,0548 0,0416 0,0373
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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