BCR133
Symbol Micros:
TBCR133
Gehäuse: SOT23
NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 130MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR133E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
295 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2031 | 0,0965 | 0,0542 | 0,0411 | 0,0369 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR133E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
59500 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0627 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 130MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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