BCR133SH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR133s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
2NPN 50V 100mA 130MHz 250mW 2NPN 50V 100mA 130MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN