BCR133SH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR133s

Gehäuse: SOT363

2NPN 50V 100mA 130MHz 250mW 2NPN 50V 100mA 130MHz 250mW

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	SOT363
Grenzfrequenz:	130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR133SH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0501

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR133SH6433XTMA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0501

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	SOT363
Grenzfrequenz:	130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	2xNPN