BCR133WH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR133w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN 50V 100mA 130MHz 250mW NPN 50V 100mA 130MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR 133W H6327 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2730 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0999 0,0394 0,0229 0,0168 0,0154
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR133WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
26000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0631
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole