BCR135

Symbol Micros: TBCR135

Gehäuse: SOT23

NPN 100mA 50V 200mW 150MHz w/ res. 10k+47k NPN 100mA 50V 200mW 150MHz w/ res. 10k+47k

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	70
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

1445 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2054	0,0974	0,0549	0,0416	0,0373

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

33000 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0373

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

129000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0373

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	70
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN