BCR135

Symbol Micros: TBCR135

Gehäuse: SOT23

NPN 100mA 50V 200mW 150MHz w/ res. 10k+47k NPN 100mA 50V 200mW 150MHz w/ res. 10k+47k

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	150MHz
Stromverstärkungsfaktor:	70
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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3000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2686	0,1425	0,1104	0,1020	0,0977

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

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18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0977

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

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Anzahl Stück	500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0977

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2027-05-14

Anzahl Stück: 54000

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	150MHz
Stromverstärkungsfaktor:	70
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN