BCR135SH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR135s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2NPN 50V 100mA 150MHz 250mW 2NPN 50V 100mA 150MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135SH6327 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2125 0,1175 0,0781 0,0653 0,0607
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135SH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0607
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole