BCR135WH6327XTSA1

Symbol Micros: TBCR135wh
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
530 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1212 0,0553 0,0300 0,0223 0,0202
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
11000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0352
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0333
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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