BCR135WH6327XTSA1

Symbol Micros: TBCR135wh
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR135WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
530 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1208 0,0551 0,0299 0,0223 0,0201
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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