BCR142

Symbol Micros: TBCR142
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 100mA 50V 200mW 150MHz w/ res. 22k+47k NPN 100mA 50V 200mW 150MHz w/ res. 22k+47k
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR142E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
4500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0324
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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