BCR148E6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR148
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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NPN 50V 100mA 100MHz 200mW NPN 50V 100mA 100MHz 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR148E6327 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0816 0,0321 0,0188 0,0138 0,0126
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR148E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0249
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR148E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
48000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0255
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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