BCR148E6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR148
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN 50V 100mA 100MHz 200mW NPN 50V 100mA 100MHz 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR148E6327 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0822 0,0324 0,0190 0,0139 0,0127
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole