BCR148SH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR148s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2NPN 50V 100mA 100MHz 250mW 2NPN 50V 100mA 100MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR 148S H6327 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1516 0,0719 0,0405 0,0307 0,0275
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole