BCR148SH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR148s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2NPN 50V 100mA 100MHz 250mW 2NPN 50V 100mA 100MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR 148S H6327 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1525 0,0724 0,0408 0,0309 0,0277
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

Symbol Micros

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