BCR158 INF

Symbol Micros: TBCR158
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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PNP 50V 100mA 200mW PNP 50V 100mA 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR158E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
640 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1681 0,0798 0,0450 0,0341 0,0305
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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