BCR158 INF

Symbol Micros: TBCR158
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
PNP 50V 100mA 200mW PNP 50V 100mA 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR158E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
640 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1616 0,0767 0,0433 0,0328 0,0294
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR158E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
68000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0975
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP