BCR158 INF

Symbol Micros: TBCR158
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PNP 50V 100mA 200mW PNP 50V 100mA 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR158E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
640 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1677 0,0796 0,0449 0,0340 0,0305
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole