BCR162E6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR162
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
PNP 50V 100mA 200MHz 200mW PNP 50V 100mA 200MHz 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 20
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR162E6327 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0901 0,0356 0,0208 0,0152 0,0139
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR162E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0377
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 20
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP