BCR169
Symbol Micros:
TBCR169
Gehäuse: SOT23-3
PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 47k PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 47k
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR169E6327HTSA1 Pbf WSs
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
499 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 40+ | 100+ | 499+ | 2495+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0895 | 0,0393 | 0,0258 | 0,0165 | 0,0138 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR169E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
33000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0367 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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