BCR183E6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR183
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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PNP 50V 100mA 200MHz 200mW PNP 50V 100mA 200MHz 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR183E6327 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2880 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0911 0,0360 0,0210 0,0153 0,0140
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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