BCR185

Symbol Micros: TBCR185
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 10k+47k PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 10k+47k
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR185 WNs RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,0952 0,0375 0,0218 0,0176 0,0146
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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