BCR185SH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR185s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2PNP 50V 100mA 200MHz 250mW 2PNP 50V 100mA 200MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR185SH6327 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2368 0,1291 0,0847 0,0731 0,0674
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR185SH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0674
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

Symbol Micros

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