BCR185WH6327

Symbol Micros: TBCR185w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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Transistor PNP; 70; 250mW; 50V; 100mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 70; 250mW; 50V; 100mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR185WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
4500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2228 0,1058 0,0595 0,0452 0,0405
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR185WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0405
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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