BCR191

Symbol Micros: TBCR191
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 22k+22k PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 22k+22k
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR191 WOs RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 900+ 3600+
Nettopreis (EUR) 0,0864 0,0341 0,0200 0,0149 0,0133
Standard-Verpackung:
900
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP