BCR191

Symbol Micros: TBCR191
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 22k+22k PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 22k+22k
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR191 WOs RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 900+ 3600+
Nettopreis (EUR) 0,0866 0,0342 0,0200 0,0149 0,0133
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Standard-Verpackung:
900
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR191E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
13500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0326
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR191E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0278
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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