BCR191
Symbol Micros:
TBCR191
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 22k+22k PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 22k+22k
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR191 WOs RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 900+ | 3600+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0874 | 0,0345 | 0,0202 | 0,0150 | 0,0134 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR191E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
22000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0353 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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