BCR192E6327

Symbol Micros: TBCR192e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP transistor Bipolar 50V 100mA PNP transistor Bipolar 50V 100mA
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR 192 E6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1387 0,0635 0,0343 0,0255 0,0231
Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP