BCR192E6327

Name: TBCR192e TBCR192e
Brand: Infineon
SKU: TBCR192e
Price: 0.0233 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBCR192e

Gehäuse: SOT23

PNP transistor Bipolar 50V 100mA PNP transistor Bipolar 50V 100mA

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	70
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR 192 E6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,1398	0,0640	0,0346	0,0256	0,0233

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR192E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

285000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0368

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR192E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0393

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	70
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP