BCR192WH6327

Symbol Micros: TBCR192wh
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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Transistor PNP Bipolar 50V 100mA Transistor PNP Bipolar 50V 100mA
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR 192W H6327 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1366 0,0647 0,0362 0,0273 0,0248
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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