BCR196E6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR196
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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PNP 50V 70mA 150MHz 200mW PNP 50V 70mA 150MHz 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 70mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR196E6327 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0795 0,0313 0,0183 0,0134 0,0122
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 70mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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