BCR196E6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR196
Gehäuse: SOT23-3
PNP 50V 70mA 150MHz 200mW PNP 50V 70mA 150MHz 200mW
Parameter
Verlustleistung: | 200mW |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 70mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Verlustleistung: | 200mW |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 70mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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