BCR198E6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR198
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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PNP 50V 100mA 190MHz 200mW PNP 50V 100mA 190MHz 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR 198 E6327 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0855 0,0336 0,0197 0,0144 0,0132
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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