BCR198WH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR198w
Gehäuse: SOT323
PNP 50V 100mA 190MHz 250mW PNP 50V 100mA 190MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Gehäuse: | SOT323 |
Grenzfrequenz: | 190MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR198WH6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1158 | 0,0530 | 0,0286 | 0,0213 | 0,0193 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR198WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
35000 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0368 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR198WH6327XTSA1
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0313 |
Verlustleistung: | 250mW |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
Gehäuse: | SOT323 |
Grenzfrequenz: | 190MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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