BCR198WH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR198w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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PNP 50V 100mA 190MHz 250mW PNP 50V 100mA 190MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR198WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1153 0,0527 0,0285 0,0212 0,0192
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 190MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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