BCR22PN

Symbol Micros: TBCR22pn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Darl.NPN/PNP 50V 100mA 250mW 130MHz Darl.NPN/PNP 50V 100mA 250mW 130MHz
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: BCR22PN Gehäuse: SOT363  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 10+ 30+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,1484 0,0975 0,0551 0,0349 0,0270
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Standard-Verpackung:
300
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR22PNH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
48000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0505
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR22PNH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
81000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0494
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

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