BCR22PN

Symbol Micros: TBCR22pn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Darl.NPN/PNP 50V 100mA 250mW 130MHz Darl.NPN/PNP 50V 100mA 250mW 130MHz
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: BCR22PN Gehäuse: SOT363  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 10+ 30+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,1502 0,0987 0,0558 0,0354 0,0273
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 130MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole