BCR35PNH6327XTSA1

Symbol Micros: TBCR35pnh
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR35PNH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2890 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2172 0,1032 0,0579 0,0441 0,0395
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

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