BCR35PNH6327XTSA1

Symbol Micros: TBCR35pnh
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR35PNH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2890 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2196 0,1044 0,0586 0,0446 0,0399
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR35PNH6433XTMA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0538
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR35PNH6433XTMA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
40000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0425
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

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