BCR48PNH6327 INFINEON
Symbol Micros:
TBCR48pn
Gehäuse: SOT363
NPN/PNP 50V 70mA/100mA 100MHz 250mW NPN/PNP 50V 70mA/100mA 100MHz 250mW
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN/PNP |
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