BCR503

Symbol Micros: TBCR503
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 500mA 50V 100MHz 330mW NPN 500mA 50V 100MHz 330mW
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 40
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: BCR503 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
1140 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0994 0,0392 0,0229 0,0167 0,0153
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 40
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN