BCR505E6327 INFINEON

Symbol Micros: TBCR505
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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NPN 50V 500mA 100MHz 330mW NPN 50V 500mA 100MHz 330mW
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR505E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2230 0,1219 0,0800 0,0691 0,0637
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR505E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0637
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR505E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0798
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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