BCR505E6327 INFINEON
Symbol Micros:
TBCR505
Gehäuse: SOT23-3
NPN 50V 500mA 100MHz 330mW NPN 50V 500mA 100MHz 330mW
Parameter
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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