BCR505E6327 INFINEON
Symbol Micros:
TBCR505
Gehäuse: SOT23-3
NPN 50V 500mA 100MHz 330mW NPN 50V 500mA 100MHz 330mW
Parameter
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR505E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2224 | 0,1216 | 0,0798 | 0,0689 | 0,0635 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR505E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
14500 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0635 |
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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