BCR512

Symbol Micros: TBCR512

Gehäuse: SOT23

NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k

Parameter

Verlustleistung:	330mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT23
Stromverstärkungsfaktor:	60
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

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Geplantes Datum:
2026-12-04

Anzahl Stück: 3000

Verlustleistung:	330mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT23
Stromverstärkungsfaktor:	60
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN