BCR512
Symbol Micros:
TBCR512
Gehäuse: SOT23
NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k
Parameter
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2690 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2015 | 0,1021 | 0,0618 | 0,0490 | 0,0448 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
39000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0932 |
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole