BCR512

Name: TBCR512 TBCR512
Brand: Infineon
SKU: TBCR512
Price: 0.0445 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBCR512

Gehäuse: SOT23

NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k

Parameter

Verlustleistung:	330mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2003	0,1015	0,0614	0,0487	0,0445

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

312000 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0462

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

72000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0445

Verlustleistung:	330mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN