BCR512

Name: TBCR512 TBCR512
Brand: Infineon
SKU: TBCR512
Price: 0.0473 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBCR512

Gehäuse: SOT23

NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k

Parameter

Verlustleistung:	330mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

2800 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2009	0,1018	0,0616	0,0489	0,0446

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

15591 stk.

Anzahl Stück	12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0446

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0473

Verlustleistung:	330mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN