BCR512

Symbol Micros: TBCR512
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2002 0,1014 0,0614 0,0487 0,0445
Standard-Verpackung:
3000/33000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR512E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
89000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1017
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN