BCR521E6327
Symbol Micros:
TBCR521
Gehäuse: SOT23-3
Transistor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: | 330mW |
Hersteller: | INFINEON |
Stromverstärkungsfaktor: | 20 |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Verlustleistung: | 330mW |
Hersteller: | INFINEON |
Stromverstärkungsfaktor: | 20 |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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