BCR521E6327
Symbol Micros:
TBCR521
Gehäuse: SOT23-3
Transistor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | INFINEON |
| Stromverstärkungsfaktor: | 20 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | INFINEON |
| Stromverstärkungsfaktor: | 20 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole