BCR521E6327

Symbol Micros: TBCR521
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR521E6327 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2086 0,1149 0,0761 0,0633 0,0596
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN