BCR523E Infineon

Symbol Micros: TBCR523
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 500mA 100MHz 0.33W NPN 50V 500mA 100MHz 0.33W
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR523E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2254 0,1248 0,0829 0,0691 0,0644
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR523E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
38500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0644
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR523E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0644
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN