BCR523E Infineon
Symbol Micros:
TBCR523
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 500mA 100MHz 0.33W NPN 50V 500mA 100MHz 0.33W
Parameter
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR523E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2620 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2450 | 0,1292 | 0,1003 | 0,0926 | 0,0887 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR523E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
35000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1167 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR523E6433HTMA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
10000 stk.
| Anzahl Stück | 10000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0887 |
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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