BCR523E Infineon

Symbol Micros: TBCR523
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 500mA 100MHz 0.33W NPN 50V 500mA 100MHz 0.33W
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR523E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2249 0,1245 0,0827 0,0689 0,0642
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN