BCR523E Infineon

Symbol Micros: TBCR523
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 500mA 100MHz 0.33W NPN 50V 500mA 100MHz 0.33W
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR523E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2471 0,1304 0,1012 0,0934 0,0894
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR523E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
35000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1169
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN