BCR533
Symbol Micros:
TBCR533
Gehäuse: SOT23
NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 10k+10k NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 10k+10k
Parameter
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR533E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2676 | 0,1433 | 0,1115 | 0,1009 | 0,0976 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR533E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
21000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0976 |
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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