BCR533

Symbol Micros: TBCR533
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 10k+10k NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 10k+10k
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR533E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2417 0,1328 0,0879 0,0732 0,0688
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR533E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
23500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1620
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR533E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0688
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 70
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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