BCR533

Symbol Micros: TBCR533
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 10k+10k NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 10k+10k
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR533E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2682 0,1436 0,1118 0,1011 0,0978
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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