BCR553E6327 INFINEON

Symbol Micros: TBCR553
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
PNP 50V 500mA 150MHz 330MHz PNP 50V 500mA 150MHz 330MHz
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 40
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP