BCR555 Infineon

Symbol Micros: TBCR555
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 500mA 50V 150mW PNP 500mA 50V 150mW
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR555E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1125 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4747 0,2872 0,2205 0,1991 0,1894
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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