BCR555 Infineon
Symbol Micros:
TBCR555
Gehäuse: SOT23
PNP 500mA 50V 150mW PNP 500mA 50V 150mW
Parameter
| Verlustleistung: | 330mW |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR555E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2090 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4682 | 0,2832 | 0,2175 | 0,1964 | 0,1868 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR555E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
16000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1868 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR555E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
38000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1868 |
| Verlustleistung: | 330mW |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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