BCR555 Infineon

Symbol Micros: TBCR555
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PNP 500mA 50V 150mW PNP 500mA 50V 150mW
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR555E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1125 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4736 0,2865 0,2200 0,1987 0,1890
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR555E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
19500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1890
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR555E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1890
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole