BCR562

Symbol Micros: TBCR562

Gehäuse: SOT23

PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k

Parameter

Verlustleistung:	330mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR562E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

600 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2955	0,1624	0,1076	0,0896	0,0842

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR562E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

21000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0842

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR562E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

32500 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0842

Verlustleistung:	330mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP