BCR562

Symbol Micros: TBCR562
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR562E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2920 0,1605 0,1063 0,0885 0,0832
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP