BCR583 Infineon

Symbol Micros: TBCR583

Gehäuse: SOT23-3

PNP 50V 500mA 150MHz 0.33W PNP 50V 500mA 150MHz 0.33W

Parameter

Verlustleistung:	330mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	70
Gehäuse:	SOT23-3
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR583E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

2900 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2625	0,1331	0,0806	0,0640	0,0584

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR583E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

147000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0584

Verlustleistung:	330mW
Hersteller:	Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor:	70
Gehäuse:	SOT23-3
Grenzfrequenz:	150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP