BCR583 Infineon

Symbol Micros: TBCR583
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
PNP 50V 500mA 150MHz 0.33W PNP 50V 500mA 150MHz 0.33W
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCR583E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2616 0,1327 0,0803 0,0638 0,0582
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 150MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP