BCR583 Infineon
Symbol Micros:
TBCR583
Gehäuse: SOT23-3
PNP 50V 500mA 150MHz 0.33W PNP 50V 500mA 150MHz 0.33W
Parameter
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR583E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2800 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2647 | 0,1342 | 0,0813 | 0,0645 | 0,0588 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCR583E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
141000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0588 |
| Verlustleistung: | 330mW |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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