BCV26 smd
Symbol Micros:
TBCV26
Gehäuse: SOT23
Darl.PNP 1.2A 30V Darl.PNP 1.2A 30V
Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 20000 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 220MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BCV26 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
2400 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2406 | 0,1222 | 0,0740 | 0,0586 | 0,0535 |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 20000 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 220MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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