BCV27,215

Name: TBCV27 TBCV27
Brand: NXP
SKU: TBCV27
Price: 0.1952 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBCV27

Gehäuse: SOT23

Transistor NPN; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	350mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	20000
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCV27 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

210 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4892	0,2954	0,2274	0,2051	0,1952

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCV27,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

5500 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4892	0,2954	0,2274	0,2051	0,1952

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV27E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

21000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1952

Verlustleistung:	350mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	20000
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1548	0,0619	0,0359	0,0300	0,0281

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1404	0,0643	0,0350	0,0262	0,0234