BCV27,215

Symbol Micros: TBCV27
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung
Transistor NPN; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCV27 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
210 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2107 0,1068 0,0647 0,0513 0,0468
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Standard-Verpackung:
3000/15000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCV27,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2107 0,1068 0,0647 0,0513 0,0468
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BCV27,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
459000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0468
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BCV27,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0468
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCV27E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0468
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN