BCV27

Symbol Micros: TBCV27 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A 220MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A 220MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BCV27 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2028 0,0964 0,0541 0,0411 0,0369
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Standard-Verpackung:
3000/15000
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 220MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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